Carburo de silicio grueso

Carburo de silicio grano 100 Descripción

La tercera-generación de dispositivos electrónicos semiconductores de alta-potencia representados por SiC es uno de los dispositivos semiconductores de potencia de más rápido crecimiento en el campo de la electrónica de potencia.

El carburo de silicio como representante típico de la tercera generación de materiales semiconductores, pero también la tecnología de producción de cristales y el nivel de fabricación de dispositivos más maduro, uno de los materiales semiconductores de ancho de banda más utilizados, ha formado una cadena industrial global de materiales, dispositivos y aplicaciones. Es un material semiconductor ideal para aplicaciones de alta-temperatura, alta-frecuencia, radiación-resistente y alta-potencia.

Especificación de productos de carburo de silicio

Proveedores de productos de carburo de silicio-ZhenAn International

Fabricante de carburo de silicio de grano 100-ZhenAn International

Proveedor de polvo de SiC-ZhenAn

Propiedades mecánicas:alta dureza (dureza Kjeldahl de 3000 kg/mm²), puede cortar rubí; alta resistencia al desgaste, solo superada por el diamante.

Propiedades térmicas:La conductividad térmica supera la del cobre metálico, 3 veces la del Si y de 8 a 10 veces la del GaAs, buena disipación del calor, muy importante para dispositivos de alta potencia.

Propiedades químicas:La resistencia a la corrosión es muy fuerte, a temperatura ambiente puede resistir casi cualquier agente corrosivo conocido. La fácil oxidación de la superficie de SiC para generar una fina capa de SiO2 puede evitar su oxidación adicional, en temperaturas superiores a 1700 grados, esta capa de película de óxido se funde y se produce una rápida reacción de oxidación. El SiC se puede disolver en material oxidante fundido.

Propiedades eléctricas:La banda prohibida de 4H-SiC y 6H-SiC es aproximadamente 3 veces mayor que la del Si, 2 veces mayor que la del GaAs; su intensidad de campo eléctrico de ruptura es un orden de magnitud mayor que la del Si, y la tasa de deriva de electrones de saturación es 2,5 veces la del Si.. 4H-SiC tiene una banda prohibida más amplia que la del 6H-SiC.

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Preguntas frecuentes

P: ¿El precio es negociable?

R: Sí, no dude en contactarnos en cualquier momento si tiene alguna pregunta. Y para los clientes que quieran ampliar el mercado, haremos todo lo posible para apoyarlos.

P: ¿Pueden suministrar muestras gratuitas?

R: Sí, podemos proporcionar muestras gratuitas a los clientes para que verifiquen la calidad o realicen análisis químicos, pero indíquenos los requisitos detallados para que podamos preparar las muestras correctas.

P: ¿Cuándo pueden entregar los productos?

A: Por lo general, podemos entregar los productos dentro de 15 a 20 días después de recibir el pago por adelantado o la carta de crédito original.

P: ¿Pueden proporcionarnos un informe de prueba emitido por SGS u otra inspección-de terceros??

R: Sí, podemos hacerlo si los clientes solicitan informes de prueba-de terceros.

Esperamos sinceramente ser su socio, damos la bienvenida a clientes nuevos y antiguos a visitar la guía, así como a diversas formas de conversaciones de cooperación comercial.

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