Carborundo negro

Carborundo negro Descripción

En los próximos años, la proporción de obleas epitaxiales de carburo de silicio de gran tamaño aumentará año tras año. A medida que el sustrato de carburo de silicio de 4-pulgadas y la tecnología epitaxial se han vuelto cada vez más maduros, por lo tanto, la oblea epitaxial de carburo de silicio de 4-pulgadas ya no hay escasez de oferta, su espacio futuro de reducción de precios es limitado. Además, aunque los actuales fabricantes avanzados internacionales han desarrollado un sustrato de carburo de silicio de 8-pulgadas, su entrada en el mercado de fabricación de dispositivos de potencia de carburo de silicio será un proceso largo, con la maduración gradual de los 8-pulgadas. tecnología epitaxial de carburo de silicio, el futuro puede aparecer línea de producción de dispositivos de potencia de carburo de silicio de 8-pulgadas.

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Especificación del polvo de carburo de silicio negro

Proveedores de polvo de carburo de silicio negro-ZhenAn International

Fabricante de carburo de silicio de grano 80: ZhenAn International

60 90 Proveedor de carburo de silicio de grano: ZhenAn International

La epitaxia de carburo de silicio resuelve principalmente dos problemas principales: el control de la uniformidad de la oblea epitaxial y el control de defectos epitaxiales.

(1) Control de la uniformidad de la oblea epitaxial, debido a que el aumento en el tamaño de la oblea epitaxial a menudo va acompañado de una disminución en la uniformidad de la oblea epitaxial, por lo que el control de la uniformidad de la oblea epitaxial de gran tamaño es la clave para mejorar el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo. y luego reducir costos.

(2) Control de defectos epitaxiales. La dislocación del plano cristalino base (BPD) es un defecto cristalino importante que afecta la estabilidad de los dispositivos de potencia bipolar de carburo de silicio, y la reducción continua de la densidad de BPD es la dirección principal para el desarrollo de la tecnología de crecimiento epitaxial. Debido a la alta densidad de BPD de los sustratos de carburo de silicio preparados mediante transporte físico climático (PVT), la mayoría de los BPD en la capa epitaxial que son dañinos para el dispositivo provienen de la penetración de los BPD en el sustrato en la capa epitaxial. Por lo tanto, mejorar la calidad de cristalización del sustrato puede reducir eficazmente la densidad de dislocaciones de BPD en la capa epitaxial.

Polvo de carburo de silicio de grano 1500 Fotos de la visita del cliente

Preguntas más frecuentes

P: ¿Es usted un fabricante?

R: Sí, somos un fabricante ubicado en la ciudad de Anyang, provincia de Henan. Como proveedor profesional de materias primas metalúrgicas, siempre damos prioridad a la calidad del producto. Utilizamos los equipos y la tecnología más avanzados desde el control de materias primas, procesos de fabricación y sistemas de control de calidad para garantizar que nuestros productos cumplan con los estándares de la industria y satisfagan las necesidades de los clientes.

P: ¿Qué tipo de condiciones de pago aceptan?

R: Para pedidos pequeños, puede pagar por T/T, Western Union o Paypal, pedido normal por T/T o LC a la cuenta de nuestra empresa.

P: ¿Cómo puedo obtener una muestra de carborundo negro?

R: Hay muestras gratuitas disponibles, pero los gastos de envío correrán a su cuenta y se le devolverán o se deducirán de su pedido en el futuro.

P: ¿Cómo confirmar la calidad del producto antes de realizar pedidos?

R: Puede obtener muestras gratuitas de algunos productos, solo necesita pagar el costo de envío o solicitarnos un servicio de mensajería y tomar las muestras. Puede enviarnos las especificaciones y solicitudes de su producto, fabricaremos los productos de acuerdo con sus solicitudes.

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